【元器件与组件】电子元器件

　　新型PolySwitch可复位电路保护器　　　　新推出的PolySwitchLVR系列可复位电路保护器件有助于防止电机和变压器因过载、过热、零线故障和其他潜在因素导致的损坏。

　　PolySwitchLVR系列产品包括了多种额定值为120VAC和240VAC线电压等级产品，在20℃运行电流高达2A。这些产品阻抗低、动作时间快、体积小并具备可复位功能。PolySwitchLVR器件可复位功能和高电阻锁定特性使之成为一种可靠且经济的保护解决方案，间歇式和连续式的电机均可使用。PolySwitchLVR器件还有助于减少因电流轻微增加而使温度上升所导致的设备损坏现象。

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　　光隔离MOSFET栅极驱动器

　　新推出的高频光隔离MOSFET栅极驱动器能够在工业应用中驱动高达30A／1200V的MOSFET。FOD3180(2A)和FOD3181(0．5A)具有200ns(最大)的上升／下降时间，能够迅速开启／关断MOSFET以减小开关损耗。FOD3180具有高达2A的峰值输出电流，无须额外的功率放大电路便可直接驱动宽范围的MOSFET。主要应用包括太阳能逆变器、UPS、DC／DC转换器以及PDP等。

　　FOD3180和FOD3181的其他可靠性功能包括：5000V的额定隔离电压可以满足大多数安全认证标准；在电压达到使能状态时才导通的欠压闭锁功能，从而保护MOSFET,具有故障防护绝缘的共面结构。这 ……此处隐藏1988个字…… 的系统中实现高电流密度，从而可缩小设计尺寸和／或减少并行MOSFET的数目。该产品具有与标准SO-8相同的占位面积，但厚度是它的1／2，仅为0．8mm。其中20V的SiE810DF与SiE808DF、30V的SiE806DF以及40V的SiE812DF的导通电阻范围介于1．4～2．6mΩ。主要面向电信及数据通信系统中的同步整流、负载点转换器及OR-ing应用，与市场上仅次于它们的具有双面冷却功能的器件相比，这四款器件的导通电阻低48％，导通电阻与栅极电荷乘积的性能提高12％。

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　　具有2．4GHz／5GHz双模兼容性的硅锗功率晶体管

　　RQG2003是高性能的功率硅锗晶体管，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RFID标签读／写机等产品。具体技术指标：在5GHz频段：6．4dB的功率增益，26．5dBm条件下的1dB增益压缩功率；在2．4GHz频段：13．0dB的功率增益，26．5dBm条件下1dB的增益压缩功率，功率增加效率为66．0％；采用小型表面贴装8引脚WQFN0202封装，尺寸为2．0mm×2．0mm×０．8mm。

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